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内存条的参数很多都是缩写，比如DDR、PC2100、CL，衡量内存条性能要看它们，明白它们的含义我们就容易识别和比较内存条了。
先拿一条Hynix现代的256M的DDR333笔记本内存条的图片举例说明，是从电脑城里买来的，有点代表性，如下图一：
图中标签上最上面是生产厂家Hynix的标志，也就是从现代公司分离单独成立的Hynix半导体公司。最下面是表示内存条容量为256M，是DDR333的，CL值为2.5。中间PC2700表示内存带宽是2700MB/s，HY开头一行需要对照Hynix的DDR内存条的参数说明来讲解，后面会提到的。
再来看图二的另一条MT的条子，很容易看出这条内存是MT也就是Micron公司的512M的DDR333内存条，CL值为2.5。
那幺就从基本的几个参数开始了。
DDR的含义。DDR 是Double Data Rate (双倍数据传输速率)的缩写。目前有DDR266、DDR333和DDR400等规格。DDR的原理上和普通的SDRAM不同之处在于，由原来一个脉冲读取一次资料改为在一个脉冲之内可以读取两次资料，也就是原来一个读写脉冲到来只触发一次读写，改为脉冲的上升缘 和下降缘通道都触发一次读写，从而实现双倍的数据传输速率。因为是双倍的数据传输速率，所以工作在133M的频率的DDR内存相当于266M的SDRAM。
带宽。带宽是另一个表示内存性能的重要参数。带宽也就是数据传输速率，如图中内存条的PC2700是指内存带宽为2700MB/s。带宽的计算公式是这样的：带宽（Bandwidth）＝存储器运行频率（Frequency）X存储器数据线宽度（Digit）/8。PC2700就是333M X 64 /8 =2664 MB/s，约等于2700MB/s。这个333就是内存运行的频率，64是存储器的数据线宽度。同样的，DDR266的内存带宽为2100 MB/s，DDR400的内存带宽为3200 MB/s。
SPD的含义。SPD是Serial Presence Detect（串行存在检测）的缩写。是内存条上的一颗采用SOIC封装形式8针的EEPROM，容量为256字节。SPD芯片内记录了该内存的许多重要信息，诸如内存芯片及模组的生产厂商、工作频率、工作电压、速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数。SPD信息一般都是在出厂前，由内存模组制造商根据内存芯片的实际参数写入到ROM芯片中。计算机通过识别SPD的信息，配置内存运行的参数，我们可以通过硬件检测软件比如CPU-Z等检测SPD信息，来了解一个内存条的参数。图中右上角的8脚的小芯片就是SPD芯片。由于标签JS很容易就可以造假，SPD的信息相对就难更改，用检测软件来对内存验明正身。
CL值。CL是CAS Latency的缩写，是内存性能的一个重要指标，它是内存纵向地址脉冲的反应时间。当电脑需要向内存读取数据时，在实际读取之前一般都有一个“缓冲期”，而“缓冲期”的时间长度，就是这个CL了。内存的CL值越低越好，因此，缩短CAS的周期有助于加快内存在同一频率下的工作速度。这个CL值和内存运行的频率也有关系，同样的内存，比如图中的DDR333的内存这个CL值为2.5，如果运行在266的频率下，CL值可以设为2。
封装类型。常用的内存封装类型有TSOP（Thin Small Outline Package）薄型小尺寸封装和mBGA （micro Ball Grid Array）小型球栅阵列封装和CSP （Chip Scale Package）芯片级封装。TSOP工艺成熟，成本低，mBGA封装方式发热小，适合笔记本电脑，CSP封装能生产更高速的内存，缺点是容易损坏，需要保护盖。图中的内存是TSOP的封装形式。
接口类型。我们常说内存条是多少Pin的，这个Pin就是内存条的引脚，也就是常说的金手指，DDR笔记本内存是144Pin的，中间有一个防呆的缺口，如图中右下脚的那个缺口，这样在安装内存条时候不会将内存插反。
看颗粒编号识内存
samsung内存
具体含义解释：
例：samsungk4h280838b-tcb0
主要含义：
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns(cl=3)；7c为7.5ns(cl=2)；80为8ns；10为10ns(66mhz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
hynix(hyundai)现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：(57=sdram，5d=ddrsdram)；
3、工作电压：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2
8、芯片内核版本：可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、h:ddr266b、 k:ddr266a
现代的mbga封装的颗粒
infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有三种容量：容量为128mbits的颗粒,容量为256mbits的颗粒和512mbits.编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/16bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为：128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。
kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。kingmax内存颗粒有两种容量：64mbits和128mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是：16m（地址）×8位数据宽度。
a2——内存内核版本号。
tg——封装方式，tg即tsop封装。
-75——内存工作速率，-75即133mhz；-65即150mhz。
实例：一条micronddr内存条，采用18片编号为mt46v32m4-75的颗粒制造。该内存支持ecc功能。所以每个bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为：容量32m×4bit×16片/8=256mb（兆字节）。
winbond（华邦）
含义说明：
wxxxxxxxx
12345
1、w代表内存颗粒是由winbond生产
2、代表显存类型：98为sdram，94为ddrram
3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为b和h；
4、代表封装，h为tsop封装，b为bga封装，d为lqfp封装
5、工作频率:0：10ns、100mhz；8：8ns、125mhz；z：7.5ns、133mhz；y：6.7ns、150mhz；6：6ns、166mhz；5：5ns、200mhz
mosel（中国台湾茂硅）
中国台湾茂硅科技是中国台湾一家较大的内存芯片厂商，对大陆供货不多，因此我们熟悉度不够。这颗粒编号为v54c365164vdt45，从编号的6、7为65表示单颗粒为64/8＝8mb，从编号的8、9位16可知单颗粒位宽16bit，从编号的最后3位t45可知颗粒速度为4.5ns
nanya（南亚）、elixir、pqi、pluss、atl、eudar
南亚科技是全球第六大内存芯片厂商，也是去年中国台湾内存芯片商中唯一盈利的公司，它在全球排名第五位。这颗显存编号为nt5sv8m16ct-7k，其中第4位字母“s”表示是sdram显存，6、7位8m表示单颗粒容量8m，8、9位16表示单颗粒位宽16bit，-7k表示速度为7ns。
1.KVR代表kingston value RAM
2.外频速度
3.一般为X
4.64为没有ECC；72代表有ECC
5.有S字符表示笔记本专用内存，没有S字符表示普通的台式机或是服务器内存
6.3：CAS=3；2.5：CAS=2.5；2：CAS=2
7.分隔符号
8.内存的容量
金士顿ValueRAM SDRAM内存命名方式也和DDR一样。
另外我们在选择内存时，时常听到一些诸如：-5ns，内存带宽，PC-2100等计量单位。它们究竟代表什幺含义？相关联的单位之间的换算关系是怎样的？我想可能有不少人还是不太清楚。下面我就为大家简单介绍一下。
Hz（赫兹）用来表示时钟频率，通常以MHz和GHz作为计量单位。
kHz 1000次/s（秒） 1kHz=1000Hz
MHz 100万次/s（秒） 1MHz=1000kHz
GHz 10亿次/s（秒） 1GHz=1000MHz
ns（纳秒, ns为十亿分之一秒）通常用来表示物理内存和显存的存取速度。其值越小，极限工作频率就越高。
计算内存颗粒极限工作频率的公式是：
SDRAM极限工作频率=1000÷ns
DDR SDRAM的极限工作频率=（1000÷ns）×2
DDR SDRAM 在命名原则上也与SDRAM 不同。SDRAM 的命名是按照时钟频率来命名的，例如 PC100 与PC133。而 DDR SDRAM 则是以数据传输量作为命名原则，例如PC2100 以及 PC2700，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR266 其实与 PC2100 是相同的规格，数据传输量为 2128MB/s（64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s），而 DDR333与PC2700 也是一样的情形（64bit×166MHz×2÷8=2656MBytes/s）。
v-data（香港威刚）、a-data（中国台湾威刚）、vt
内存颗粒编号为vdd8608a8a-6bh0327，是6纳秒的颗粒，单面8片颗粒共256m容量，0327代表它的生产日期为2003年第27周
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